Отечественный накопитель будет отличаться высокой скоростью и долгим временем хранения информации. Сохранить файлы на флеш-карту из Сибири можно будет в 2-3 раза быстрее, чем на обычную – ту, что произведена на Западе, передаёт ТАСС.
Учёные Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН исследуют возможность применения в производстве флешек графена - высокотехнологичного материала, открытого российскими учёными в Великобритании в 2010 году (за него Андрей Гейм и Константин Новосёлов получили Нобелевскую премию). Мультиграфен (тот же материал, но нанесённый в несколько слоёв) позволит быстрее сохранять информацию на устройство, и хранить её в более надёжных условиях долгое время.
По данным ИФП СО РАН, российский рынок карт памяти ещё не сформирован. Подобная продукция ввозится в страну из других государств.
Для создания первого в России завода по производству флеш-накопителей потребуется от 4 до 5 миллиардов долларов США. Поэтому исследование пока остаётся теоретическим.
